پین Si چهار ربعی

مدل: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

توضیح کوتاه:

این شامل چهار واحد یکسان فتودیود Si PIN است که به صورت معکوس عمل می کند و حساسیت بالایی از UV تا NIR را ارائه می دهد.حداکثر طول موج پاسخ 980 نانومتر است.پاسخگویی: 0.5 A/W در 1064 نانومتر.

دریافت نقل قول دانلود

پارامتر فنی

برچسب های محصول

امکانات

جریان تاریک کم
پاسخگویی بالا
سازگاری ربع خوب
ناحیه کور کوچک

برنامه های کاربردی

هدایت لیزری، هدف گیری و ردیابی
برای دستگاه اکتشاف
میکرو موقعیت یابی لیزری، نظارت بر جابجایی و سیستم های اندازه گیری دقیق

پارامتر فوتوالکتریک (@Ta=25℃)

مورد #	دسته بندی بسته	قطر سطح حساس به نور (mm)	محدوده پاسخ طیفی (nm)	اوج پاسخ طول موج	پاسخگویی λ=1064 نانومتر (kV/W)	جریان تاریک (nA)	افزایش زمان λ=1064 نانومتر R_L=50Ω(ns)	ظرفیت اتصال f=1 مگاهرتز (pF)	ولتاژ شکست (V)
GT111	TO-8	Ф4	400 تا 1100	980	0.3	5 (V_R=40 ولت)	15 (V_R=40 ولت)	5 (V_R= 10 ولت)	100
GT112		Ф6				7 (V_R=40 ولت)	20 (V_R=40 ولت)	7 (V_R= 10 ولت)
GD3250Y		Ф8				10 (V_R=40 ولت)	25 (V_R=40 ولت)	10 (V_R= 10 ولت)
GD3249Y	TO-20	Ф10				15 (V_R=40 ولت)	30 (V_R=40 ولت)	15 (V_R= 10 ولت)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0.4	20 (V_R= 135 ولت)	20 (V_R= 135 ولت)	10 (V_R= 135 ولت)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50 (V_R= 135 ولت)	30 (V_R= 135 ولت)	20 (V_R= 135 ولت)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40 (V_R= 135 ولت)	25 (V_R= 135 ولت)	16 (V_R= 135 ولت)
GD32414Y	TO-8	Ф5.3	400 تا 1150		0.5	4.8 (V_R= 140 ولت)	15 (V_R= 140 ولت)	4.2 (V_R= 140 ولت)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400 تا 1150		0.5	≤20(V_R= 180 ولت)	20 (V_R= 180 ولت)	10 (V_R= 180 ولت)	≥300