ماژول های پین Si 850 نانومتری

مدل: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

توضیح کوتاه:

این ماژول دیود فوتودیود Si PIN 850 نانومتری با مدار پیش تقویت است که سیگنال جریان ضعیف را قادر می‌سازد تقویت شود و به سیگنال ولتاژ تبدیل شود تا به فرآیند تبدیل تقویت سیگنال فوتون-فتو الکتریک-سیگنال دست یابد.

دریافت نقل قول دانلود

پارامتر فنی

برچسب های محصول

امکانات

پاسخگویی با سرعت بالا
حساسیت بالا

برنامه های کاربردی

فیوز لیزر

پارامتر فوتوالکتریک (@Ta=22±3℃)

مورد #	دسته بندی بسته	قطر سطح حساس به نور (mm)	پاسخگویی	افزایش زمان (ns)	محدوده دینامیکی (dB)	ولتاژ بهره برداری (V)	ولتاژ نویز (mV)	یادداشت
مورد #	دسته بندی بسته	قطر سطح حساس به نور (mm)	λ=850 نانومتر،φ_e= 1μW		λ=850 نانومتر	ولتاژ بهره برداری (V)	ولتاژ نویز (mV)	یادداشت
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	0.3±5	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	0.3±6	40	(زاویه بروز: 0 درجه، عبور 830 نانومتر ~ 910 نانومتر ≥90٪
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	0.3±6	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	0.1±5	25
نکات: بار آزمایشی GD4213Y 50Ω است، بقیه موارد 1MΩ هستند