1064 نانومتر APD
امکانات
- تراشه تخت نورپردازی شده در سمت جلو
- پاسخگویی با سرعت بالا
- افزایش APD بالا
برنامه های کاربردی
- برد لیزری
- ارتباط لیزری
- هشدار لیزری
پارامتر فوتوالکتریک(@Ta=22±3℃)
| مورد # | دسته بندی بسته | قطر سطح حساس به نور (mm) | محدوده پاسخ طیفی (nm) |
ولتاژ شکست (V) | پاسخگویی M=100 λ=1064 نانومتر (kV/W)
|
افزایش زمان (ns) | پهنای باند (MHz) | ضریب دمای Ta=-40℃-85℃ (V/℃)
| قدرت معادل نویز (pW/√Hz)
| تمرکز (μm) | نوع جایگزین در کشورهای دیگر |
| GD6212Y |
TO-8
| 0.8 |
40 تا 1100 | 350 تا 500 | 150 | 8.8 | 40 | 2.2 | 0.15 | ≤50 | C30950 |
| GD6213Y | 200 | 2 | 175 | C30659-1060-R8BH | |||||||
| GD6219Y | 3 | 280 | 7 | 50 | 2.4 | 0.27 | C30659-1060-3A |
