خروجی فضایی 780 نانومتر لیزر تک فرکانس
مشخصات محصول
█عرض خط باریک<20 کیلوهرتز (در حد 2 کیلوهرتز)
█ اختیاری مجاز به نویز شدت (RIN<-130dBc/Hz@100kHz)
█ قدرت بالا (15 وات)
█ کیفیت پرتو عالی (M² <1.1)
█ پایداری برق (PP<1%@25℃،<2%@15-35℃)
█ پایداری محیطی (15-35 ℃، 0.5 گرم (0-200 هرتز))
█ Rbatom
█ شبکه مجیک لایت
شاخص های فنی
مدل | EFA-SSHG-780-X (تک خروجی) | EFA-SSHG-780-XX (خروجی دو کاناله) | |||||
طول موج مرکزی¹ | 780.24 نانومتر | ||||||
قدرت | 15 وات | 7W | 2W | 0.2 وات | 3W | 400 میلی وات | |
3W | 400 میلی وات | ||||||
اختلاف فرکانس بین دو کانال |
| 0-1.2 گیگاهرتز (لیزر تک دانه) | |||||
پهنای خط لیزر | < 20 کیلوهرتز | < 4 کیلوهرتز (اختیاری) | |||||
محدوده تنظیم رایگان حالت هاپ² | 0.4 نانومتر | ||||||
محدوده تنظیم سریع² | 10 گیگاهرتز | ||||||
پهنای باند تنظیم سریع² | > 10 کیلوهرتز | ||||||
ثبات فرکانس² | 100 مگاهرتز @25℃ | ||||||
محیط عملیات | دما: 15-35 ℃ لرزش: 0.5 گرم (0 تا 200 هرتز) | ||||||
ادغام RMS نویز با شدت نسبی (10Hz-10MHz) | <0.2% | گزینه کم صدا³ مقدار یکپارچه سازی RMS: <0.05٪ (10 هرتز-10 مگاهرتز) | |||||
کیفیت پرتو | TEMₒₒ، M² <1.1 | ||||||
قطبی شدن | قطبش خطی، > 100: 1 | ||||||
خنک کننده | خنک کننده هوا / خنک کننده آب | ||||||
اتلاف قدرت | <200 وات | ||||||
1 قابل پوشاندن است؛ محدوده سفارشی 765-790 نانومتر 2 بسته به لیزر بذر، لیزر بذر می تواند خارجی باشد 3 دانه کم نویز را می توان برای نویز کم انتخاب کرد |